国外电子与电气工程技术丛书 模拟电路设计 分立与集成 英文版 (美)弗兰克著 2015年版
资料介绍
国外电子与电气工程技术丛书 模拟电路设计 分立与集成 英文版
作者: (美)弗兰克著
出版时间:2015年版
丛编项: 国外电子与电气工程技术丛书
内容简介
《国外电子与电气工程技术丛书·模拟电路设计:分立与集成(英文版)》以半导体物理理论为基础,注重阐述模拟电路技术和BiCMOS技术,注重物理概念的诠释,强调模拟电路的分离和和集成设计。全书主要内容有:PN结二极管、双极结型晶体管、MOS场效应晶体管、模拟集成电路构建、模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声。
目录
Preface v
Chapter 1
Diodes and the pn Junction
1.1 The Ideal Diode 3
1.2 Basic Diode Applications
1.3 Operational Amplifiers and Diode Applications
1.4 Semiconductors
1.5 Thepn Junction in Equilibrium
1.6 Effect of External Bias on the SCL Parameters
1.7 Thepn Diode Equation
1.8 The Reverse—Biased pn Junction
1.9 Forward—Biased Diode Characteristics
1.10 Dc Analysis ofpn Diode Circuits
1.11 Ac Analysis ofpn Diode Circuits
1.12 Breakdown—Region Operation
1.13 Dc Power Supplies 84
Appendix 1A: SPICE Models for Diodes
References
Problems
Chapter
Bipolar Junction Transistors
2.1 Physical Structure of the BJT
2.2 Basic BJT Operation
2.3 The i—v Characteristics of BJTs
2.4 Operating Regions and BJT Models
2.5 The BJT as an AmpfifierPdwitch
2.6 Small—Signal Operation of the BJT
2,7 BJT Biasing for Amplifier Design
2,8 Basic Bipolar Voltage Amplifiers
2.9 Bipolar Voltage and Current Buffers
Appendix 2A: SPICE Models for BJTs
References
Problems
Chapter 3
Chapter 4
Chapter 5
Chapter 6
Chapter 7
Index
作者: (美)弗兰克著
出版时间:2015年版
丛编项: 国外电子与电气工程技术丛书
内容简介
《国外电子与电气工程技术丛书·模拟电路设计:分立与集成(英文版)》以半导体物理理论为基础,注重阐述模拟电路技术和BiCMOS技术,注重物理概念的诠释,强调模拟电路的分离和和集成设计。全书主要内容有:PN结二极管、双极结型晶体管、MOS场效应晶体管、模拟集成电路构建、模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声。
目录
Preface v
Chapter 1
Diodes and the pn Junction
1.1 The Ideal Diode 3
1.2 Basic Diode Applications
1.3 Operational Amplifiers and Diode Applications
1.4 Semiconductors
1.5 Thepn Junction in Equilibrium
1.6 Effect of External Bias on the SCL Parameters
1.7 Thepn Diode Equation
1.8 The Reverse—Biased pn Junction
1.9 Forward—Biased Diode Characteristics
1.10 Dc Analysis ofpn Diode Circuits
1.11 Ac Analysis ofpn Diode Circuits
1.12 Breakdown—Region Operation
1.13 Dc Power Supplies 84
Appendix 1A: SPICE Models for Diodes
References
Problems
Chapter
Bipolar Junction Transistors
2.1 Physical Structure of the BJT
2.2 Basic BJT Operation
2.3 The i—v Characteristics of BJTs
2.4 Operating Regions and BJT Models
2.5 The BJT as an AmpfifierPdwitch
2.6 Small—Signal Operation of the BJT
2,7 BJT Biasing for Amplifier Design
2,8 Basic Bipolar Voltage Amplifiers
2.9 Bipolar Voltage and Current Buffers
Appendix 2A: SPICE Models for BJTs
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Chapter 5
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Index
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